FR16BR02
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| Teilenummer | FR16BR02 |
| PNEDA Teilenummer | FR16BR02 |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP REV 100V 16A DO4 |
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.644 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 17 - Jun 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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FR16BR02 Ressourcen
| Marke | GeneSiC Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FR16BR02 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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FR16BR02 Technische Daten
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Serie | - |
| Diodentyp | Standard, Reverse Polarity |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
| Current - Average Rectified (Io) | 16A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 16A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 200ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 25µA @ 100V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Chassis, Stud Mount |
| Paket / Fall | DO-203AA, DO-4, Stud |
| Lieferantengerätepaket | DO-4 |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 150°C |
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Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 20V Current - Average Rectified (Io) 500mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 500mV @ 500mA Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 7ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 30µA @ 10V Kapazität @ Vr, F. 30pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 2-XDFN Lieferantengerätepaket DFN1006D-2 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 150°C (Max) |
Hersteller STMicroelectronics Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Current - Average Rectified (Io) 12A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 12A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 35ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 200V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220FPAC Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 175°C (Max) |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 40V Current - Average Rectified (Io) 3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 600mV @ 3A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 200µA @ 20V Kapazität @ Vr, F. 189pF @ 5V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket D-PAK (TO-252AA) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 150°C |
Hersteller Diodes Incorporated Serie SBR® Diodentyp Super Barrier Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 40V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 510mV @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 40V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOD-123F Lieferantengerätepaket SOD-123F Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie eSMP® Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 40V Current - Average Rectified (Io) 3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 600mV @ 3A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 150µA @ 40V Kapazität @ Vr, F. 130pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-220AA Lieferantengerätepaket DO-220AA (SMP) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
