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FT24C02A-UMR-B

FT24C02A-UMR-B

Nur als Referenz

Teilenummer FT24C02A-UMR-B
PNEDA Teilenummer FT24C02A-UMR-B
Beschreibung IC EEPROM 2K I2C 1MHZ 8MSOP
Hersteller Fremont Micro Devices Ltd
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Auf Lager 4.410
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 25 - Mai 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FT24C02A-UMR-B Ressourcen

Marke Fremont Micro Devices Ltd
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFT24C02A-UMR-B
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
FT24C02A-UMR-B, FT24C02A-UMR-B Datenblatt (Total Pages: 20, Größe: 297,33 KB)
PDFFT24C02A-UNR-T Datenblatt Cover
FT24C02A-UNR-T Datenblatt Seite 2 FT24C02A-UNR-T Datenblatt Seite 3 FT24C02A-UNR-T Datenblatt Seite 4 FT24C02A-UNR-T Datenblatt Seite 5 FT24C02A-UNR-T Datenblatt Seite 6 FT24C02A-UNR-T Datenblatt Seite 7 FT24C02A-UNR-T Datenblatt Seite 8 FT24C02A-UNR-T Datenblatt Seite 9 FT24C02A-UNR-T Datenblatt Seite 10 FT24C02A-UNR-T Datenblatt Seite 11

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FT24C02A-UMR-B Technische Daten

HerstellerFremont Micro Devices Ltd
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatEEPROM
TechnologieEEPROM
Speichergröße2Kb (256 x 8)
SpeicherschnittstelleI²C
Taktfrequenz1MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite5ms
Zugriffszeit550ns
Spannung - Versorgung1.8V ~ 5.5V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Lieferantengerätepaket8-MSOP

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Technologie

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Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5.4ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

64Kb (8K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

20ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

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Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

72Mb (2M x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3ns

Spannung - Versorgung

3.135V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

512Kb (64K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

25ns

Zugriffszeit

25ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

128Kb (16K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

25ns

Zugriffszeit

25ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

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Paket / Fall

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