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FT24C04A-KDR-B

FT24C04A-KDR-B

Nur als Referenz

Teilenummer FT24C04A-KDR-B
PNEDA Teilenummer FT24C04A-KDR-B
Beschreibung IC EEPROM 4KBIT 1MHZ 8DIP
Hersteller Fremont Micro Devices Ltd
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Auf Lager 3.186
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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FT24C04A-KDR-B Ressourcen

Marke Fremont Micro Devices Ltd
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFT24C04A-KDR-B
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
FT24C04A-KDR-B, FT24C04A-KDR-B Datenblatt (Total Pages: 20, Größe: 634,11 KB)
PDFFT24C04A-KDR-B Datenblatt Cover
FT24C04A-KDR-B Datenblatt Seite 2 FT24C04A-KDR-B Datenblatt Seite 3 FT24C04A-KDR-B Datenblatt Seite 4 FT24C04A-KDR-B Datenblatt Seite 5 FT24C04A-KDR-B Datenblatt Seite 6 FT24C04A-KDR-B Datenblatt Seite 7 FT24C04A-KDR-B Datenblatt Seite 8 FT24C04A-KDR-B Datenblatt Seite 9 FT24C04A-KDR-B Datenblatt Seite 10 FT24C04A-KDR-B Datenblatt Seite 11

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FT24C04A-KDR-B Technische Daten

HerstellerFremont Micro Devices Ltd
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatEEPROM
TechnologieEEPROM
Speichergröße4Kb (512 x 8)
SpeicherschnittstelleI²C
Taktfrequenz1MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite5ms
Zugriffszeit550ns
Spannung - Versorgung1.8V ~ 5.5V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall8-DIP (0.300", 7.62mm)
Lieferantengerätepaket8-DIP

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

7ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

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Paket / Fall

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Hersteller

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-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

12ns

Zugriffszeit

12ns

Spannung - Versorgung

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FRAM

Technologie

FRAM (Ferroelectric RAM)

Speichergröße

64Kb (8K x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

1MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

550ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

4Mb (512K x 8, 256K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

80ns

Zugriffszeit

80ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR2

Speichergröße

1Gb (128M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

400MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

400ps

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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