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FT24C64A-USR-B

FT24C64A-USR-B

Nur als Referenz

Teilenummer FT24C64A-USR-B
PNEDA Teilenummer FT24C64A-USR-B
Beschreibung IC EEPROM 64K I2C 800KHZ 8SOP
Hersteller Fremont Micro Devices Ltd
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Auf Lager 7.074
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 15 - Jun 20 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FT24C64A-USR-B Ressourcen

Marke Fremont Micro Devices Ltd
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFT24C64A-USR-B
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
FT24C64A-USR-B, FT24C64A-USR-B Datenblatt (Total Pages: 17, Größe: 316,02 KB)
PDFFT24C64A-UTG-T Datenblatt Cover
FT24C64A-UTG-T Datenblatt Seite 2 FT24C64A-UTG-T Datenblatt Seite 3 FT24C64A-UTG-T Datenblatt Seite 4 FT24C64A-UTG-T Datenblatt Seite 5 FT24C64A-UTG-T Datenblatt Seite 6 FT24C64A-UTG-T Datenblatt Seite 7 FT24C64A-UTG-T Datenblatt Seite 8 FT24C64A-UTG-T Datenblatt Seite 9 FT24C64A-UTG-T Datenblatt Seite 10 FT24C64A-UTG-T Datenblatt Seite 11

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FT24C64A-USR-B Technische Daten

HerstellerFremont Micro Devices Ltd
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatEEPROM
TechnologieEEPROM
Speichergröße64Kb (8K x 8)
SpeicherschnittstelleI²C
Taktfrequenz800kHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite5ms
Zugriffszeit700ns
Spannung - Versorgung1.8V ~ 5.5V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOP

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

1Gb (128M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

800MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.283V ~ 1.45V

Betriebstemperatur

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Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

78-TFBGA

Lieferantengerätepaket

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R1LV1616RSD-5SI#S0

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM

Speichergröße

16Mb (2M x 8, 1M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

55ns

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, QDR II

Speichergröße

18Mb (1M x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

8.4ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Alliance Memory, Inc.

Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q100

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR3L

Speichergröße

4Gb (512M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

800MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.283V ~ 1.45V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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78-FBGA (9x10.5)

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, QDR II

Speichergröße

72Mb (4M x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

250MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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