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FT25L04T-RB

FT25L04T-RB

Nur als Referenz

Teilenummer FT25L04T-RB
PNEDA Teilenummer FT25L04T-RB
Beschreibung IC FLASH 4M SPI 40MHZ 8TSSOP
Hersteller Fremont Micro Devices Ltd
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Auf Lager 3.654
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 1 - Mai 6 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FT25L04T-RB Ressourcen

Marke Fremont Micro Devices Ltd
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFT25L04T-RB
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
FT25L04T-RB, FT25L04T-RB Datenblatt (Total Pages: 32, Größe: 494,33 KB)
PDFFT25L04S-RT Datenblatt Cover
FT25L04S-RT Datenblatt Seite 2 FT25L04S-RT Datenblatt Seite 3 FT25L04S-RT Datenblatt Seite 4 FT25L04S-RT Datenblatt Seite 5 FT25L04S-RT Datenblatt Seite 6 FT25L04S-RT Datenblatt Seite 7 FT25L04S-RT Datenblatt Seite 8 FT25L04S-RT Datenblatt Seite 9 FT25L04S-RT Datenblatt Seite 10 FT25L04S-RT Datenblatt Seite 11

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FT25L04T-RB Technische Daten

HerstellerFremont Micro Devices Ltd
Serie-
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH
Speichergröße4Mb (512K x 8)
SpeicherschnittstelleSPI
Taktfrequenz40MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite2.6ms
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung1.65V ~ 1.95V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Lieferantengerätepaket8-TSSOP

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Serie

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Speichertyp

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Speicherformat

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

150ns

Zugriffszeit

150ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

16Mb (1M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

40µs

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

1.65V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-TFBGA

Lieferantengerätepaket

48-TFBGA

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Hersteller

Everspin Technologies Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

RAM

Technologie

MRAM (Magnetoresistive RAM)

Speichergröße

4Mb (512K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

35ns

Zugriffszeit

35ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-LFBGA

Lieferantengerätepaket

48-FBGA (8x8)

SM662GEA-BD

Silicon Motion, Inc.

Hersteller

Silicon Motion, Inc.

Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

CY7C1024DV33-10BGXI

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Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

3Mb (128K x 24)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ns

Zugriffszeit

10ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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