G2SB20-E3/51
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| Teilenummer | G2SB20-E3/51 |
| PNEDA Teilenummer | G2SB20-E3-51 |
| Beschreibung | BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1.5A GBL |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.940 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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G2SB20-E3/51 Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | G2SB20-E3/51 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Brückengleichrichter |
| Datenblatt |
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G2SB20-E3/51 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Diodentyp | Single Phase |
| Technologie | Standard |
| Spannung - Peak Reverse (Max) | 200V |
| Current - Average Rectified (Io) | 1.5A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1V @ 750mA |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 5µA @ 200V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | 4-SIP, GBL |
| Lieferantengerätepaket | GBL |
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Single Phase Technologie Standard Spannung - Peak Reverse (Max) 400V Current - Average Rectified (Io) 8A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1V @ 8A Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 400V Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 4-SIP, GBU Lieferantengerätepaket GBU |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Diodentyp Single Phase Technologie Standard Spannung - Peak Reverse (Max) 1kV Current - Average Rectified (Io) 6A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1V @ 6A Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 800V Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 4-SIP, GBU Lieferantengerätepaket GBU |
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Three Phase Technologie Standard Spannung - Peak Reverse (Max) 1.4kV Current - Average Rectified (Io) 60A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall MTK Lieferantengerätepaket MTK |
