GATELEADWHBU445XXPSA1
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| Teilenummer | GATELEADWHBU445XXPSA1 |
| PNEDA Teilenummer | GATELEADWHBU445XXPSA1 |
| Beschreibung | STD THYR/DIODEN DISC |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.338 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 13 - Jun 18 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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GATELEADWHBU445XXPSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | GATELEADWHBU445XXPSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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GATELEADWHBU445XXPSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Diodentyp | - |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | - |
| Current - Average Rectified (Io) | - |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | - |
| Geschwindigkeit | - |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | - |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | - |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | - |
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Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 45V Current - Average Rectified (Io) 150A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 600mV @ 150A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 5mA @ 45V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall D-67 Lieferantengerätepaket D-67 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
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