GP1M009A020FG
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Teilenummer | GP1M009A020FG |
PNEDA Teilenummer | GP1M009A020FG |
Beschreibung | MOSFET N-CH 200V 9A TO220F |
Hersteller | Global Power Technologies Group |
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Auf Lager | 3.852 |
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GP1M009A020FG Ressourcen
Marke | Global Power Technologies Group |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | GP1M009A020FG |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
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GP1M009A020FG Technische Daten
Hersteller | Global Power Technologies Group |
Serie | - |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 9A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 4.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.6nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 414pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 17.3W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | TO-220F |
Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
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