GP2M011A090NG
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Teilenummer | GP2M011A090NG |
PNEDA Teilenummer | GP2M011A090NG |
Beschreibung | MOSFET N-CH 900V 11A TO3PN |
Hersteller | Global Power Technologies Group |
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Auf Lager | 7.668 |
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GP2M011A090NG Ressourcen
Marke | Global Power Technologies Group |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | GP2M011A090NG |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
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GP2M011A090NG Technische Daten
Hersteller | Global Power Technologies Group |
Serie | - |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 900V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 11A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 5.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 84nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3240pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 416W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | TO-3PN |
Paket / Fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
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