GWM100-0085X1-SMD SAM
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| Teilenummer | GWM100-0085X1-SMD SAM |
| PNEDA Teilenummer | GWM100-0085X1-SMD-SAM |
| Beschreibung | MOSFET 6N-CH 85V 103A ISOPLUS |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.914 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jul 15 - Jul 20 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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GWM100-0085X1-SMD SAM Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | GWM100-0085X1-SMD SAM |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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GWM100-0085X1-SMD SAM Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | - |
| FET-Typ | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 85V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 103A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.2mOhm @ 75A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 114nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Leistung - max | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 17-SMD, Gull Wing |
| Lieferantengerätepaket | ISOPLUS-DIL™ |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18.6nC @ 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1171pF @ 10V Leistung - max 1.2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
