H11A817CW
Nur als Referenz
| Teilenummer | H11A817CW |
| PNEDA Teilenummer | H11A817CW |
| Beschreibung | OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.988 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 13 - Mai 18 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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H11A817CW Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | H11A817CW |
| Kategorie | Halbleiter › Isolatoren › Optoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang |
| Datenblatt |
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H11A817CW Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Anzahl der Kanäle | 1 |
| Spannungsisolation | 5300Vrms |
| Stromübertragungsverhältnis (min) | 200% @ 5mA |
| Stromübertragungsverhältnis (max.) | 400% @ 5mA |
| Ein- / Ausschaltzeit (Typ) | - |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 2.4µs, 2.4µs |
| Eingabetyp | DC |
| Ausgabetyp | Transistor |
| Spannung - Ausgang (max.) | 70V |
| Strom - Ausgang / Kanal | 50mA |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | 1.2V |
| Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) | 50mA |
| Vce-Sättigung (max.) | 200mV |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 100°C |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | 4-DIP (0.400", 10.16mm) |
| Lieferantengerätepaket | 4-DIP |
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Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 3750Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 50% @ 5mA Stromübertragungsverhältnis (max.) 600% @ 5mA Ein- / Ausschaltzeit (Typ) 3µs, 3µs Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 2µs, 3µs Eingabetyp DC Ausgabetyp Transistor Spannung - Ausgang (max.) 80V Strom - Ausgang / Kanal 50mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.15V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 50mA Vce-Sättigung (max.) 400mV Betriebstemperatur -55°C ~ 100°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-SMD (4 Leads), Gull Wing Lieferantengerätepaket 6-MFSOP, 4 Lead |
