H11G2SD
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| Teilenummer | H11G2SD |
| PNEDA Teilenummer | H11G2SD |
| Beschreibung | OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.376 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 18 - Mai 23 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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H11G2SD Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | H11G2SD |
| Kategorie | Halbleiter › Isolatoren › Optoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang |
| Datenblatt |
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H11G2SD Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Anzahl der Kanäle | 1 |
| Spannungsisolation | 5300Vrms |
| Stromübertragungsverhältnis (min) | 1000% @ 10mA |
| Stromübertragungsverhältnis (max.) | - |
| Ein- / Ausschaltzeit (Typ) | 5µs, 100µs |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | - |
| Eingabetyp | DC |
| Ausgabetyp | Darlington with Base |
| Spannung - Ausgang (max.) | 80V |
| Strom - Ausgang / Kanal | - |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | 1.3V |
| Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) | 60mA |
| Vce-Sättigung (max.) | 1V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 100°C |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-SMD, Gull Wing |
| Lieferantengerätepaket | 6-SMD |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 5000Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 600% @ 1mA Stromübertragungsverhältnis (max.) 7500% @ 1mA Ein- / Ausschaltzeit (Typ) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 300µs, 250µs (Max) Eingabetyp DC Ausgabetyp Darlington Spannung - Ausgang (max.) 35V Strom - Ausgang / Kanal 80mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.2V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 50mA Vce-Sättigung (max.) 1V Betriebstemperatur -55°C ~ 100°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 4-SMD, Gull Wing Lieferantengerätepaket 4-SMD |
