H11G3W
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| Teilenummer | H11G3W |
| PNEDA Teilenummer | H11G3W |
| Beschreibung | OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.154 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 23 - Mai 28 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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H11G3W Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | H11G3W |
| Kategorie | Halbleiter › Isolatoren › Optoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang |
| Datenblatt |
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H11G3W Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Anzahl der Kanäle | 1 |
| Spannungsisolation | 5300Vrms |
| Stromübertragungsverhältnis (min) | 200% @ 1mA |
| Stromübertragungsverhältnis (max.) | - |
| Ein- / Ausschaltzeit (Typ) | 5µs, 100µs |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | - |
| Eingabetyp | DC |
| Ausgabetyp | Darlington with Base |
| Spannung - Ausgang (max.) | 55V |
| Strom - Ausgang / Kanal | - |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | 1.3V |
| Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) | 60mA |
| Vce-Sättigung (max.) | 1.2V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 100°C |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | 6-DIP (0.400", 10.16mm) |
| Lieferantengerätepaket | 6-DIP |
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Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie TPC816 Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 5000Vrms Stromübertragungsverhältnis (min) 300% @ 5mA Stromübertragungsverhältnis (max.) 600% @ 5mA Ein- / Ausschaltzeit (Typ) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 4µs, 3µs Eingabetyp DC Ausgabetyp Transistor Spannung - Ausgang (max.) 70V Strom - Ausgang / Kanal 50mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.2V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 50mA Vce-Sättigung (max.) 200mV Betriebstemperatur -30°C ~ 100°C Montagetyp Through Hole Paket / Fall 4-DIP (0.400", 10.16mm) Lieferantengerätepaket 4-DIP |
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