HAT1126RWS-E
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| Teilenummer | HAT1126RWS-E |
| PNEDA Teilenummer | HAT1126RWS-E |
| Beschreibung | MOSFET P-CH SOP8 |
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.464 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 23 - Mai 28 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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HAT1126RWS-E Ressourcen
| Marke | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | HAT1126RWS-E |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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HAT1126RWS-E Technische Daten
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 6A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2300pF @ 10V |
| Leistung - max | 3W (Ta) |
| Betriebstemperatur | 150°C |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOP |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie * FET-Typ - FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
