HGT1S10N120BNST
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| Teilenummer | HGT1S10N120BNST |
| PNEDA Teilenummer | HGT1S10N120BNST |
| Beschreibung | IGBT 1200V 35A 298W TO263AB |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 20.412 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 16 - Mai 21 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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HGT1S10N120BNST Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | HGT1S10N120BNST |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
HGT1S10N120BNST, HGT1S10N120BNST Datenblatt
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HGT1S10N120BNST Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 35A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 80A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 10A |
| Leistung - max | 298W |
| Schaltenergie | 320µJ (on), 800µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 100nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 23ns/165ns |
| Testbedingung | 960V, 10A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | TO-263AB |
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