HGT1S12N60A4DS
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| Teilenummer | HGT1S12N60A4DS |
| PNEDA Teilenummer | HGT1S12N60A4DS |
| Beschreibung | IGBT 600V 54A 167W D2PAK |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.916 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 23 - Mai 28 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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HGT1S12N60A4DS Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | HGT1S12N60A4DS |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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HGT1S12N60A4DS Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 54A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 96A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 12A |
| Leistung - max | 167W |
| Schaltenergie | 55µJ (on), 50µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 78nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 17ns/96ns |
| Testbedingung | 390V, 12A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 30ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | TO-263AB |
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Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.82V @ 15V, 30A Leistung - max 41.2W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. 45ns/70ns Testbedingung 400V, 30A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3PFM, SC-93-3 Lieferantengerätepaket TO-3PFM |
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