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HGT1S14N36G3VLS

HGT1S14N36G3VLS

Nur als Referenz

Teilenummer HGT1S14N36G3VLS
PNEDA Teilenummer HGT1S14N36G3VLS
Beschreibung IGBT 390V 18A 100W TO263AB
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 7.362
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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HGT1S14N36G3VLS Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerHGT1S14N36G3VLS
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
HGT1S14N36G3VLS, HGT1S14N36G3VLS Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 224,09 KB)
PDFHGT1S14N36G3VLT Datenblatt Cover
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HGT1S14N36G3VLS Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)390V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)18A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.2V @ 5V, 14A
Leistung - max100W
Schaltenergie-
EingabetypLogic
Gate Charge24nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-/7µs
Testbedingung300V, 7A, 25Ohm, 5V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketTO-263AB

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

11A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 6A

Leistung - max

33W

Schaltenergie

64µJ (on), 123µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

13nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

26ns/73ns

Testbedingung

400V, 6A, 47Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

73ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220AB Full-Pak

RGTH60TS65DGC11

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

58A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 30A

Leistung - max

194W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

58nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

27ns/105ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

58ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247N

IXGH41N60

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

76A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

152A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 41A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

8mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

120nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/600ns

Testbedingung

480V, 41A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

IKD15N60R

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 15A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

900µJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

90nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

16ns/183ns

Testbedingung

400V, 15A, 15Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

110ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Hersteller

IXYS

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

92A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

720A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.4V @ 15V, 60A

Leistung - max

417W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

450nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

50ns/340ns

Testbedingung

960V, 60A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

1.95µs

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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Paket / Fall

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