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HGTD7N60C3S9A

HGTD7N60C3S9A

Nur als Referenz

Teilenummer HGTD7N60C3S9A
PNEDA Teilenummer HGTD7N60C3S9A
Beschreibung IGBT 600V 14A 60W TO252AA
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 6.408
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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HGTD7N60C3S9A Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerHGTD7N60C3S9A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
HGTD7N60C3S9A, HGTD7N60C3S9A Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 285,72 KB)
PDFHGTD7N60C3S9A Datenblatt Cover
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HGTD7N60C3S9A Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)14A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)56A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 7A
Leistung - max60W
Schaltenergie165µJ (on), 600µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge23nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-
Testbedingung-
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
LieferantengerätepaketTO-252AA

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

BIMOSFET™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

34A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

88A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 10A

Leistung - max

180W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

46nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

36ns/100ns

Testbedingung

960V, 10A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

1.6µs

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263

IHW40N65R5XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 40A

Leistung - max

230W

Schaltenergie

630µJ (on), 140µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

193nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/258ns

Testbedingung

400V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

90ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

APT36GA60BD15

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 8™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

109A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

Leistung - max

290W

Schaltenergie

307µJ (on), 254µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

18nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

16ns/122ns

Testbedingung

400V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

FGL60N100BNTD

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

NPT and Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 60A

Leistung - max

180W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

275nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

140ns/630ns

Testbedingung

600V, 60A, 51Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

1.2µs

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264-3

NGTB25N120FL2WAG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 25A

Leistung - max

385W

Schaltenergie

990µJ (on), 660µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

181nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

17ns/113ns

Testbedingung

600V, 50A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

136ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-4

Lieferantengerätepaket

TO-247-4L

Kürzlich verkauft

3224W-1-105E

3224W-1-105E

Bourns

TRIMMER 1M OHM 0.25W J LEAD TOP

MSS1P4-M3/89A

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Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 40V 1A MICROSMP

ASDXRRX005NDAA5

ASDXRRX005NDAA5

Honeywell Sensing and Productivity Solutions

SENSOR PRESSURE DIFF 5"" H2O 8DIP

SMF36AT1G

SMF36AT1G

Littelfuse

TVS DIODE 36V 58.1V SOD123FL

MC14040BDR2G

MC14040BDR2G

ON Semiconductor

IC COUNTER 12BIT CMOS 16SOIC

SRU8043-100Y

SRU8043-100Y

Bourns

FIXED IND 10UH 3.5A 30 MOHM SMD

EPM2210F256I5N

EPM2210F256I5N

Intel

IC CPLD 1700MC 7NS 256FBGA

LTC4365ITS8#TRMPBF

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Linear Technology/Analog Devices

IC OVERVOLTAGE PROT TSOT23-8

EVQ-PAC09K

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Panasonic Electronic Components

SWITCH TACTILE SPST-NO 0.02A 15V

MAX97220AETE+

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Maxim Integrated

IC AMP AUD.13W STER AB 16TQFN

SIS456DN-T1-GE3

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MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8

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IC TRANSCEIVER FULL 2/2 20SOIC