HGTG18N120BN
Nur als Referenz
Teilenummer | HGTG18N120BN |
PNEDA Teilenummer | HGTG18N120BN |
Beschreibung | IGBT 1200V 54A 390W TO247 |
Hersteller | ON Semiconductor |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 4.104 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Mai 19 - Mai 24 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
HGTG18N120BN Ressourcen
Marke | ON Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | HGTG18N120BN |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
Datenblatt |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- HGTG18N120BN Datasheet
- where to find HGTG18N120BN
- ON Semiconductor
- ON Semiconductor HGTG18N120BN
- HGTG18N120BN PDF Datasheet
- HGTG18N120BN Stock
- HGTG18N120BN Pinout
- Datasheet HGTG18N120BN
- HGTG18N120BN Supplier
- ON Semiconductor Distributor
- HGTG18N120BN Price
- HGTG18N120BN Distributor
HGTG18N120BN Technische Daten
Hersteller | ON Semiconductor |
Serie | - |
IGBT-Typ | NPT |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 54A |
Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 165A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 18A |
Leistung - max | 390W |
Schaltenergie | 800µJ (on), 1.8mJ (off) |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 165nC |
Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 23ns/170ns |
Testbedingung | 960V, 18A, 3Ohm, 15V |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-247-3 |
Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
IXYS Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 55A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 110A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 30A Leistung - max 200W Schaltenergie 700µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 100nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/90ns Testbedingung 480V, 30A, 4.7Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 50ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket TO-264AA(IXSK) |
IXYS Hersteller IXYS Serie XPT™, GenX3™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 33A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 140A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 24A Leistung - max 90W Schaltenergie 550µJ (on), 800µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 39nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 23ns/150ns Testbedingung 400V, 24A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 36ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-3P |
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie TrenchStop® IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 40A Leistung - max 483W Schaltenergie 3.16mJ Eingabetyp Standard Gate Charge 185nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/290ns Testbedingung 600V, 40A, 12Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PG-TO247-3 |
Microsemi Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 190A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 50A Leistung - max 625W Schaltenergie 456µJ (on), 635µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 165nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 19ns/85ns Testbedingung 400V, 50A, 4.3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket TO-264 |
IXYS Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 38A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 25A Leistung - max 125W Schaltenergie 1.1mJ (on), 600µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 140nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung 300V, 25A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 50ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall i4-Pac™-5 Lieferantengerätepaket ISOPLUS i4-PAC™ |