HGTP12N60C3
Nur als Referenz
Teilenummer | HGTP12N60C3 |
PNEDA Teilenummer | HGTP12N60C3 |
Beschreibung | IGBT 600V 24A 104W TO220AB |
Hersteller | ON Semiconductor |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 4.032 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Mai 9 - Mai 14 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
HGTP12N60C3 Ressourcen
Marke | ON Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | HGTP12N60C3 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
Datenblatt |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- HGTP12N60C3 Datasheet
- where to find HGTP12N60C3
- ON Semiconductor
- ON Semiconductor HGTP12N60C3
- HGTP12N60C3 PDF Datasheet
- HGTP12N60C3 Stock
- HGTP12N60C3 Pinout
- Datasheet HGTP12N60C3
- HGTP12N60C3 Supplier
- ON Semiconductor Distributor
- HGTP12N60C3 Price
- HGTP12N60C3 Distributor
HGTP12N60C3 Technische Daten
Hersteller | ON Semiconductor |
Serie | - |
IGBT-Typ | - |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 24A |
Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 96A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 12A |
Leistung - max | 104W |
Schaltenergie | 380µJ (on), 900µJ (off) |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 48nC |
Td (ein / aus) bei 25 ° C. | - |
Testbedingung | - |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-220-3 |
Lieferantengerätepaket | TO-220-3 |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1350V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 40A Leistung - max 394W Schaltenergie 1.3mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 234nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. -/250ns Testbedingung 600V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
ON Semiconductor Hersteller ON Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK® IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 400V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 26.9A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.2V @ 4V, 6A Leistung - max 166W Schaltenergie - Eingabetyp Logic Gate Charge 24nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. -/5.3µs Testbedingung 300V, 6.5A, 1kOhm, 5V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket TO-252AA |
IXYS Hersteller IXYS Serie GenX3™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 20A Leistung - max 220W Schaltenergie 270µJ (on), 90µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 38nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 16ns/42ns Testbedingung 300V, 20A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXGH) |
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 17A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 92A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 12A Leistung - max 45W Schaltenergie 380µJ (on), 160µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 50nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 40ns/91ns Testbedingung 480V, 12A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 42ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220AB Full-Pak |
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 16.5A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 27A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.6V @ 15V, 8A Leistung - max 125W Schaltenergie 1mJ Eingabetyp Standard Gate Charge 70nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 27ns/440ns Testbedingung 800V, 8A, 47Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 60ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PG-TO247-3 |