HGTP3N60A4
Nur als Referenz
| Teilenummer | HGTP3N60A4 |
| PNEDA Teilenummer | HGTP3N60A4 |
| Beschreibung | IGBT 600V 17A 70W TO220AB |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.678 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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HGTP3N60A4 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | HGTP3N60A4 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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HGTP3N60A4 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 17A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 40A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 3A |
| Leistung - max | 70W |
| Schaltenergie | 37µJ (on), 25µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 21nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 6ns/73ns |
| Testbedingung | 390V, 3A, 50Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220-3 |
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Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 25A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 12A Leistung - max 33.8W Schaltenergie 180µJ (on), 180µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 33nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 32ns/70ns Testbedingung 300V, 12A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 85ns Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220FL |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 13A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 52A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 6.5A Leistung - max 60W Schaltenergie 85µJ (on), 95µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 25nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 20ns/70ns Testbedingung 300V, 6.5A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 55ns Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D²PAK |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 141A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 99A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.57V @ 15V, 33A Leistung - max 543W Schaltenergie 15mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 227nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. -/485ns Testbedingung 600V, 33A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket SUPER-220™ (TO-273AA) |
Hersteller ON Semiconductor Serie EcoSPARK® IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 360V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 21A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.65V @ 4.5V, 10A Leistung - max 150W Schaltenergie - Eingabetyp Logic Gate Charge 18nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 4µs/15µs Testbedingung 14V, 10A, 1000Ohm, 5V Reverse Recovery Time (trr) 7µs Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket TO-252, (D-Pak) |
Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 30A Leistung - max 260W Schaltenergie 350µJ (on), 400µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 105nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 50ns/160ns Testbedingung 400V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 110ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220 |
