HIP2101IR4T
Nur als Referenz
| Teilenummer | HIP2101IR4T |
| PNEDA Teilenummer | HIP2101IR4T |
| Beschreibung | IC DRVR HALF BRIDGE 100V 12-DFN |
| Hersteller | Renesas Electronics America Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.834 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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HIP2101IR4T Ressourcen
| Marke | Renesas Electronics America Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | HIP2101IR4T |
| Kategorie | Halbleiter › Energieverwaltungs-ICs › PMIC - Gate-Treiber |
| Datenblatt |
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HIP2101IR4T Technische Daten
| Hersteller | Renesas Electronics America Inc. |
| Serie | - |
| Angetriebene Konfiguration | Half-Bridge |
| Kanaltyp | Independent |
| Anzahl der Treiber | 2 |
| Gate-Typ | N-Channel MOSFET |
| Spannung - Versorgung | 9V ~ 14V |
| Logikspannung - VIL, VIH | 0.8V, 2.2V |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) | 2A, 2A |
| Eingabetyp | Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 114V |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 10ns, 10ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 12-VFDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 12-DFN (4x4) |
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Hersteller Microchip Technology Serie - Angetriebene Konfiguration Low-Side Kanaltyp Single Anzahl der Treiber 1 Gate-Typ N-Channel, P-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 4.5V ~ 18V Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.4V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 6A, 6A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 25ns, 25ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-VDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 8-DFN-S (6x5) |
