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HIP2121FRTAZ-T

HIP2121FRTAZ-T

Nur als Referenz

Teilenummer HIP2121FRTAZ-T
PNEDA Teilenummer HIP2121FRTAZ-T
Beschreibung IC HALF BRIDGE FET DRIVER 10TDFN
Hersteller Renesas Electronics America Inc.
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Auf Lager 8.406
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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HIP2121FRTAZ-T Ressourcen

Marke Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerHIP2121FRTAZ-T
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber
Datenblatt
HIP2121FRTAZ-T, HIP2121FRTAZ-T Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 781,47 KB)
PDFHIP2121FRTBZ-T Datenblatt Cover
HIP2121FRTBZ-T Datenblatt Seite 2 HIP2121FRTBZ-T Datenblatt Seite 3 HIP2121FRTBZ-T Datenblatt Seite 4 HIP2121FRTBZ-T Datenblatt Seite 5 HIP2121FRTBZ-T Datenblatt Seite 6 HIP2121FRTBZ-T Datenblatt Seite 7 HIP2121FRTBZ-T Datenblatt Seite 8 HIP2121FRTBZ-T Datenblatt Seite 9 HIP2121FRTBZ-T Datenblatt Seite 10 HIP2121FRTBZ-T Datenblatt Seite 11

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HIP2121FRTAZ-T Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America Inc.
Serie-
Angetriebene KonfigurationHalf-Bridge
KanaltypSynchronous
Anzahl der Treiber2
Gate-TypN-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung8V ~ 14V
Logikspannung - VIL, VIH1.4V, 2.2V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)2A, 2A
EingabetypInverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)114V
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)10ns, 10ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall10-WDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket10-TDFN (4x4)

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Hersteller

Serie

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Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

7V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

500mA, 1A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

30ns, 25ns

Betriebstemperatur

0°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SOIC

IR2010SPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

10V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

6V, 9.5V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

3A, 3A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

200V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

10ns, 15ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SOIC

UCC27425DGN

Texas Instruments

Hersteller

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Low-Side

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel, P-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4V ~ 15V

Logikspannung - VIL, VIH

1V, 2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

4A, 4A

Eingabetyp

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

20ns, 15ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-MSOP-PowerPad

2SP0115T2B0-12

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Hersteller

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Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

IGBT

Spannung - Versorgung

14.5V ~ 15.5V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

8A, 15A

Eingabetyp

-

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

1200V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

5ns, 10ns

Betriebstemperatur

-20°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

1SP0635V2M1-5SNA1200E330100

Power Integrations

Hersteller

Power Integrations

Serie

SCALE™-2

Angetriebene Konfiguration

High-Side or Low-Side

Kanaltyp

Single

Anzahl der Treiber

1

Gate-Typ

IGBT

Spannung - Versorgung

14.5V ~ 15.5V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

35A, 35A

Eingabetyp

-

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

9ns, 30ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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