HIP4080AIBZT
Nur als Referenz
| Teilenummer | HIP4080AIBZT |
| PNEDA Teilenummer | HIP4080AIBZT |
| Beschreibung | IC DRIVER FET FULL 80V 20-SOIC |
| Hersteller | Renesas Electronics America Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 52.170 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 13 - Jun 18 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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HIP4080AIBZT Ressourcen
| Marke | Renesas Electronics America Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | HIP4080AIBZT |
| Kategorie | Halbleiter › Energieverwaltungs-ICs › PMIC - Gate-Treiber |
| Datenblatt |
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HIP4080AIBZT Technische Daten
| Hersteller | Renesas Electronics America Inc. |
| Serie | - |
| Angetriebene Konfiguration | Half-Bridge |
| Kanaltyp | Synchronous |
| Anzahl der Treiber | 4 |
| Gate-Typ | N-Channel MOSFET |
| Spannung - Versorgung | 9.5V ~ 15V |
| Logikspannung - VIL, VIH | 1V, 2.5V |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) | 2.6A, 2.4A |
| Eingabetyp | Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 95V |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 10ns, 10ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 20-SOIC |
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Hersteller IXYS Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Independent Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 10V ~ 35V Logikspannung - VIL, VIH 6V, 9.6V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 6A, 6A Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 25ns, 17ns Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TA) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 14-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 14-DIP |
