HSM5100JE3/TR13
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| Teilenummer | HSM5100JE3/TR13 |
| PNEDA Teilenummer | HSM5100JE3-TR13 |
| Beschreibung | DIODE SCHOTTKY 100V 5A DO214AB |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.398 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 14 - Jun 19 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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HSM5100JE3/TR13 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | HSM5100JE3/TR13 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
HSM5100JE3/TR13, HSM5100JE3/TR13 Datenblatt
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HSM5100JE3/TR13 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Diodentyp | Schottky |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
| Current - Average Rectified (Io) | 5A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 5A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 250µA @ 100V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | DO-214AB, SMC |
| Lieferantengerätepaket | DO-214AB |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 175°C |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Current - Average Rectified (Io) 3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.5V @ 9A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 150ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 1µA @ 200V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall E-MELF Lieferantengerätepaket D-5B Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
