Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

HUF75842S3S

HUF75842S3S

Nur als Referenz

Teilenummer HUF75842S3S
PNEDA Teilenummer HUF75842S3S
Beschreibung MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 5.436
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 10 - Jun 15 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

HUF75842S3S Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerHUF75842S3S
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
HUF75842S3S, HUF75842S3S Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 197,6 KB)
PDFHUF75842S3ST Datenblatt Cover
HUF75842S3ST Datenblatt Seite 2 HUF75842S3ST Datenblatt Seite 3 HUF75842S3ST Datenblatt Seite 4 HUF75842S3ST Datenblatt Seite 5 HUF75842S3ST Datenblatt Seite 6 HUF75842S3ST Datenblatt Seite 7 HUF75842S3ST Datenblatt Seite 8 HUF75842S3ST Datenblatt Seite 9 HUF75842S3ST Datenblatt Seite 10

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • HUF75842S3S Datasheet
  • where to find HUF75842S3S
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor HUF75842S3S
  • HUF75842S3S PDF Datasheet
  • HUF75842S3S Stock

  • HUF75842S3S Pinout
  • Datasheet HUF75842S3S
  • HUF75842S3S Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • HUF75842S3S Price
  • HUF75842S3S Distributor

HUF75842S3S Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieUltraFET™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)150V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.43A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs42mOhm @ 43A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs175nC @ 20V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2730pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)230W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketD²PAK (TO-263AB)
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

ZXMN7A11KTC

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

70V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.2A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

130mOhm @ 4.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.4nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

298pF @ 40V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.11W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-252-3

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

DMP31D7LDW-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

*

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Lieferantengerätepaket

-

Paket / Fall

-

IRF640SPBF

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

18A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

180mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

70nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.1W (Ta), 130W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

FQL40N50F

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

FRFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

40A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

200nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7500pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

460W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-264-3

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

FCB20N60TM

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

SuperFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

190mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

98nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3080pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

208W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D²PAK

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Kürzlich verkauft

PMV65XP,215

PMV65XP,215

Nexperia

MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23

CY7C65632-28LTXCT

CY7C65632-28LTXCT

Cypress Semiconductor

IC CONTROLLER USB 28QFN

ETPF1000M5H

ETPF1000M5H

Panasonic Electronic Components

CAP TANT POLY 1000UF 2.5V 2917

W25X40CLSSIG

W25X40CLSSIG

Winbond Electronics

IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8SOIC

TAJA105K016RNJ

TAJA105K016RNJ

CAP TANT 1UF 10% 16V 1206

MCP6042T-I/SN

MCP6042T-I/SN

Microchip Technology

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC

USB2512I-AEZG

USB2512I-AEZG

Microchip Technology

IC USB 2.0 2PORT HUB CTLR 36-QFN

MC74HC00ADR2G

MC74HC00ADR2G

ON Semiconductor

IC GATE NAND 4CH 2-INP 14SOIC

RS1MB-13-F

RS1MB-13-F

Diodes Incorporated

DIODE GEN PURP 1KV 1A SMB

R5F21335CNFP#30

R5F21335CNFP#30

Renesas Electronics America

IC MCU 16BIT 24KB FLASH 32LQFP

MAX9850ETI+

MAX9850ETI+

Maxim Integrated

IC AMP AUDIO .095W STER 28TQFN

LTST-C190TGKT

LTST-C190TGKT

Lite-On Inc.

LED GREEN CLEAR CHIP SMD