HUFA76407DK8T
Nur als Referenz
| Teilenummer | HUFA76407DK8T | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | HUFA76407DK8T | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 60V 8-SOIC | ||||||||||||||||||
| Hersteller | ON Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 27.329 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 17 - Mai 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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HUFA76407DK8T Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | HUFA76407DK8T |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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HUFA76407DK8T Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | UltraFET™ |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 3.8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.2nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 330pF @ 25V |
| Leistung - max | 2.5W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOIC |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs 185mOhm @ 1.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 270pF @ 25V Leistung - max 1.04W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Lieferantengerätepaket 8-MSOP |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs 29mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 10V Leistung - max 2W Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOP |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 435pF @ 25V Leistung - max 2W Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOP |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 72mOhm @ 3.1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 256pF @ 15V Leistung - max 485mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket DFN2020D-6 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV) Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 43A Rds On (Max) @ Id, Vgs 210mOhm @ 21.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 372nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10400pF @ 25V Leistung - max 780W Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP4 Lieferantengerätepaket SP4 |
