IAUT300N08S5N014ATMA1
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| Teilenummer | IAUT300N08S5N014ATMA1 |
| PNEDA Teilenummer | IAUT300N08S5N014ATMA1 |
| Beschreibung | 80V 300A 1.4MOHM TOLL |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.156 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 27 - Jul 2 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IAUT300N08S5N014ATMA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IAUT300N08S5N014ATMA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IAUT300N08S5N014ATMA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | OptiMOS™-5 |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 300A (DC) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 230µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 187nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 13178pF @ 40V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 300W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-HSOF-8-1 |
| Paket / Fall | 8-PowerSFN |
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 10A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55nC @ 4.5V Vgs (Max) -8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5500pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2W (Ta) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket HUML2020L8 Paket / Fall 8-PowerUDFN |
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