IDT6116SA35SO8
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| Teilenummer | IDT6116SA35SO8 |
| PNEDA Teilenummer | IDT6116SA35SO8 |
| Beschreibung | IC SRAM 16K PARALLEL 24SOIC |
| Hersteller | IDT, Integrated Device Technology |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.150 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 1 - Jun 6 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IDT6116SA35SO8 Ressourcen
| Marke | IDT, Integrated Device Technology |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IDT6116SA35SO8 |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
| Datenblatt |
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IDT6116SA35SO8 Technische Daten
| Hersteller | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Serie | - |
| Speichertyp | Volatile |
| Speicherformat | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchronous |
| Speichergröße | 16Kb (2K x 8) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 35ns |
| Zugriffszeit | 35ns |
| Spannung - Versorgung | 4.5V ~ 5.5V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 24-SOIC |
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Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM Speichergröße 128Mb (4M x 32) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 5.4ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 86-TSOP II |
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Hersteller Microchip Technology Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EEPROM Technologie EEPROM Speichergröße 1Mb (128K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 10ms Zugriffszeit 150ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TC) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 32-DIP (0.600", 15.24mm) Lieferantengerätepaket 32-PDIP |
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