IGB15N65S5ATMA1
Nur als Referenz
| Teilenummer | IGB15N65S5ATMA1 |
| PNEDA Teilenummer | IGB15N65S5ATMA1 |
| Beschreibung | IGBT PRODUCTS |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.060 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 13 - Jun 18 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
IGB15N65S5ATMA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | IGB15N65S5ATMA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- IGB15N65S5ATMA1 Datasheet
- where to find IGB15N65S5ATMA1
- Infineon Technologies
- Infineon Technologies IGB15N65S5ATMA1
- IGB15N65S5ATMA1 PDF Datasheet
- IGB15N65S5ATMA1 Stock
- IGB15N65S5ATMA1 Pinout
- Datasheet IGB15N65S5ATMA1
- IGB15N65S5ATMA1 Supplier
- Infineon Technologies Distributor
- IGB15N65S5ATMA1 Price
- IGB15N65S5ATMA1 Distributor
IGB15N65S5ATMA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | * |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | - |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | - |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | - |
| Leistung - max | - |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | - |
| Gate Charge | - |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | - |
| Testbedingung | - |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | - |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 65A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 72A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 24A Leistung - max 250W Schaltenergie 115µJ (on), 600µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 75nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 41ns/104ns Testbedingung 400V, 24A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 89ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 20A Leistung - max 52W Schaltenergie 200µJ (on), 130µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 116nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 38ns/149ns Testbedingung 400V, 20A, 15V Reverse Recovery Time (trr) 40ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-3PF |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 16A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 18A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 6A Leistung - max 77W Schaltenergie 56µJ (on), 122µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 13nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 27ns/75ns Testbedingung 400V, 6A, 47Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 74ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket D-Pak |
Hersteller IXYS Serie BIMOSFET™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 33A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 40A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 7.1V @ 15V, 20A Leistung - max 350W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 130nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung 960V, 20A, 22Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXBH) |
Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 90A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 220A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 36A Leistung - max 300W Schaltenergie 950µJ (on), 840µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 113nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 40ns/270ns Testbedingung 400V, 36A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXGH) |
