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IHW30N65R5XKSA1

IHW30N65R5XKSA1

Nur als Referenz

Teilenummer IHW30N65R5XKSA1
PNEDA Teilenummer IHW30N65R5XKSA1
Beschreibung IGBT TRENCH 650V 60A TO247-3
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 7.308
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 24 - Jun 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IHW30N65R5XKSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIHW30N65R5XKSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IHW30N65R5XKSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieTrenchStop™
IGBT-TypTrench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)60A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)90A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.7V @ 15V, 30A
Leistung - max176W
Schaltenergie850µJ (on), 240µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge153nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.29ns/220ns
Testbedingung400V, 30A, 13Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)95ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketPG-TO247-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

220A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

480A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 70A

Leistung - max

830W

Schaltenergie

1.9mJ (on), 2mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

143nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/120ns

Testbedingung

360V, 70A, 2Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 (IXXH)

RGTH50TK65GC11

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

26A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 25A

Leistung - max

59W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

49nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

27ns/94ns

Testbedingung

400V, 25A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3PFM, SC-93-3

Lieferantengerätepaket

TO-3PFM

IRG4BC20S

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

19A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

38A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 10A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

120µJ (on), 2.05mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

27nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

27ns/540ns

Testbedingung

480V, 10A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

IXGA12N100

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

24A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

48A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 12A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

2.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

65nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

100ns/850ns

Testbedingung

800V, 12A, 120Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263 (IXGA)

FGP40N6S2

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

180A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 20A

Leistung - max

290W

Schaltenergie

115µJ (on), 195µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

35nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

8ns/35ns

Testbedingung

390V, 20A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Kürzlich verkauft

FGH40N60SMD

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ON Semiconductor

IGBT 600V 80A 349W TO-247-3

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C0805C102K2GECAUTO

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KEMET

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IGBT 1200V 40A 180W TO263

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MOSFET N-CH 20V 0.9A SOT-23

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FTDI, Future Technology Devices International Ltd

IC USB TO PARALLEL FIFO 28-SSOP

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TVS DIODE 6V 10.3V SOD123F

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Panasonic Electronic Components

RES 0.015 OHM 5% 1W 2512

DSC1001DL5-024.0000

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Microchip Technology

MEMS OSC XO 24.0000MHZ CMOS SMD

SI2347DS-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 5A SOT-23

ECX-.327-CDX-1293

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CRYSTAL 32.7680KHZ 12.5PF SMD

PKGS-00LDP1-R

PKGS-00LDP1-R

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