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IKA20N65ET6XKSA1

IKA20N65ET6XKSA1

Nur als Referenz

Teilenummer IKA20N65ET6XKSA1
PNEDA Teilenummer IKA20N65ET6XKSA1
Beschreibung IGBT 650V 20A TO220-3
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 2.826
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 8 - Jun 13 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IKA20N65ET6XKSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIKA20N65ET6XKSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IKA20N65ET6XKSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie*
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)-
Strom - Kollektor (Ic) (max.)-
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic-
Leistung - max-
Schaltenergie-
Eingabetyp-
Gate Charge-
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-
Testbedingung-
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-
Montagetyp-
Paket / Fall-
Lieferantengerätepaket-

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IXBL64N250

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

BIMOSFET™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

2500V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

116A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

750A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 64A

Leistung - max

500W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

400nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

160ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

ISOPLUSi5-Pak™

Lieferantengerätepaket

ISOPLUSi5-Pak™

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

900V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

310A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

840A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 140A

Leistung - max

1630W

Schaltenergie

4.3mJ (on), 4mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

330nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/145ns

Testbedingung

450V, 100A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264 (IXYK)

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

105A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

430µJ (on), 350µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

30nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19ns/80ns

Testbedingung

400V, 20A, 20Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

135ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

APT35GP120B2DQ2G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

96A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

140A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 35A

Leistung - max

543W

Schaltenergie

750µJ (on), 680µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

150nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

16ns/95ns

Testbedingung

600V, 35A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3 Variant

Lieferantengerätepaket

-

AOTF10B60D2

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

Alpha IGBT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

23A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

20A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 5A

Leistung - max

31.2W

Schaltenergie

140µJ (on), 40µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

9.4nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

12ns/83ns

Testbedingung

400V, 5A, 60Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

98ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220F

Kürzlich verkauft

4TPE220MAZB

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Panasonic Electronic Components

CAP TANT POLY 220UF 4V 1411

BZT52C3V9-7-F

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PIC16LF877A-I/L

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IC MCU 8BIT 14KB FLASH 44PLCC

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TN2404K-T1-E3

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1.5KE200CA

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TVS DIODE 171V 353V DO201

UF4006-E3/54

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DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

SMBJ7.0CA-E3/52

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Vishay Semiconductor Diodes Division

TVS DIODE 7V 12V DO214AA

0466005.NRHF

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Littelfuse

FUSE BOARD MNT 5A 32VAC/VDC 1206