IKD10N60RFATMA1
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| Teilenummer | IKD10N60RFATMA1 |
| PNEDA Teilenummer | IKD10N60RFATMA1 |
| Beschreibung | IGBT 600V 20A 150W PG-TO252-3 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.030 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 8 - Jun 13 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IKD10N60RFATMA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IKD10N60RFATMA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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IKD10N60RFATMA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | TrenchStop® |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 20A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 30A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 10A |
| Leistung - max | 150W |
| Schaltenergie | 190µJ (on), 160µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 64nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 12ns/168ns |
| Testbedingung | 400V, 10A, 26Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 72ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO252-3 |
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Hersteller IXYS Serie GenX3™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 20A Leistung - max 180W Schaltenergie 2.85mJ (on), 6.47mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 50nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 16ns/290ns Testbedingung 960V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
