IKFW75N60ETXKSA1
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| Teilenummer | IKFW75N60ETXKSA1 |
| PNEDA Teilenummer | IKFW75N60ETXKSA1 |
| Beschreibung | INDUSTRY 14 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.820 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 23 - Mai 28 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IKFW75N60ETXKSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IKFW75N60ETXKSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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IKFW75N60ETXKSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | TrenchStop™ |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 80A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 225A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 75A |
| Leistung - max | 178W |
| Schaltenergie | 2.7mJ (on), 2.35J (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 440nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 33ns/340ns |
| Testbedingung | 400V, 75A, 5Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 107ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO247-3-AI |
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Hersteller Infineon Technologies Serie TrenchStop® IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 40A Leistung - max 483W Schaltenergie 3.16mJ Eingabetyp Standard Gate Charge 185nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/290ns Testbedingung 600V, 40A, 12Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PG-TO247-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 35A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 10A Leistung - max 298W Schaltenergie 320µJ (on), 800µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 100nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 23ns/165ns Testbedingung 960V, 10A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220-3 |
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Hersteller Global Power Technologies Group Serie - IGBT-Typ NPT and Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 45A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 15A Leistung - max 212W Schaltenergie 1.61mJ (on), 530µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 210nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 25ns/166ns Testbedingung 600V, 15A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 320ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3PN |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 8.5A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 34A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 5A Leistung - max 38W Schaltenergie 80µJ (on), 160µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 15nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 19ns/116ns Testbedingung 480V, 5A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket D-Pak |
