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IKP08N65H5XKSA1

IKP08N65H5XKSA1

Nur als Referenz

Teilenummer IKP08N65H5XKSA1
PNEDA Teilenummer IKP08N65H5XKSA1
Beschreibung IGBT 650V 18A 70W PG-TO220-3
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 8.004
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IKP08N65H5XKSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIKP08N65H5XKSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IKP08N65H5XKSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieTrenchStop®
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)18A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)24A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 8A
Leistung - max70W
Schaltenergie70µJ (on), 30µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge22nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.11ns/115ns
Testbedingung400V, 4A, 48Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)40ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220-3

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 30A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

280µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

130nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

70ns/140ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

400ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

IRGB4610DPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 6A

Leistung - max

77W

Schaltenergie

56µJ (on), 122µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

13nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

27ns/75ns

Testbedingung

400V, 6A, 47Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

74ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.4V @ 15V, 30A

Leistung - max

220W

Schaltenergie

740µJ (on), 3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

80nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/330ns

Testbedingung

400V, 30A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

23ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263AA

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

36A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 12V, 14A

Leistung - max

83W

Schaltenergie

38µJ (on), 130µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

18.3nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

4.3ns/36ns

Testbedingung

400V, 5A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

IRG4RC10UDTRP

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8.5A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

34A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 5A

Leistung - max

38W

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Gate Charge

15nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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