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IKW75N60H3FKSA1

IKW75N60H3FKSA1

Nur als Referenz

Teilenummer IKW75N60H3FKSA1
PNEDA Teilenummer IKW75N60H3FKSA1
Beschreibung IGBT 600V 80A 428W TO247-3
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 6.936
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 29 - Jun 3 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IKW75N60H3FKSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIKW75N60H3FKSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IKW75N60H3FKSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieTrenchStop®
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)80A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)225A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 75A
Leistung - max428W
Schaltenergie3mJ (on), 1.7mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge470nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.31ns/265ns
Testbedingung400V, 75A, 5.2Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)190ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketPG-TO247-3

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Hersteller

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Serie

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IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 10A

Leistung - max

115W

Schaltenergie

120µJ (on), 270µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

28nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19ns/91ns

Testbedingung

400V, 10A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

96ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.4V @ 15V, 15A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

1.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

57nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/148ns

Testbedingung

960V, 15A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

30ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXSH)

IRG4BC30F-STRL

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

31A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 17A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

230µJ (on), 1.18mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

51nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

21ns/200ns

Testbedingung

480V, 17A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

FGB3236-F085

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK®

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

360V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

44A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.4V @ 4V, 6A

Leistung - max

187W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

20nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/5.4µs

Testbedingung

300V, 1kOhm, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

IXYS

Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 12A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

62nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

1.4µs

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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