IMX5T108
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| Teilenummer | IMX5T108 |
| PNEDA Teilenummer | IMX5T108 |
| Beschreibung | TRANS 2NPN 11V 0.05A 6SMT |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.240 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 25 - Mai 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IMX5T108 Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IMX5T108 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays |
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IMX5T108 Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | 2 NPN (Dual) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 50mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 11V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 10mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 56 @ 5mA, 10V |
| Leistung - max | 300mW |
| Frequenz - Übergang | 3.2GHz |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-74, SOT-457 |
| Lieferantengerätepaket | SMT6 |
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Hersteller Central Semiconductor Corp Serie - Transistortyp 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 300mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 135 @ 1mA, 5V Leistung - max 600mW Frequenz - Übergang 200MHz Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket TO-78-6 |
Hersteller Analog Devices Inc. Serie - Transistortyp 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 36V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Leistung - max 500mW Frequenz - Übergang 190MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket TO-78-6 |
