IMZ120R030M1HXKSA1
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| Teilenummer | IMZ120R030M1HXKSA1 |
| PNEDA Teilenummer | IMZ120R030M1HXKSA1 |
| Beschreibung | COOLSIC MOSFETS 1200V |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.844 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 23 - Mai 28 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IMZ120R030M1HXKSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IMZ120R030M1HXKSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IMZ120R030M1HXKSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | CoolSiC™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1.2kV |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 56A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 15V, 18V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 25A, 18V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.7V @ 10mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63nC @ 18V |
| Vgs (Max) | +23V, -7V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2.12nF @ 800V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 227W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO247-4-1 |
| Paket / Fall | TO-247-4 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - FET-Typ - Technologie - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket - Paket / Fall - |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 9A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.85W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-SO Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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