IPA65R420CFDXKSA1
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| Teilenummer | IPA65R420CFDXKSA1 |
| PNEDA Teilenummer | IPA65R420CFDXKSA1 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.726 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 12 - Jun 17 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IPA65R420CFDXKSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IPA65R420CFDXKSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
IPA65R420CFDXKSA1, IPA65R420CFDXKSA1 Datenblatt
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IPA65R420CFDXKSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | CoolMOS™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 8.7A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 420mOhm @ 3.4A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 340µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 870pF @ 100V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 31.2W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO220 Full Pack |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 97A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.8mOhm @ 58A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3540pF @ 50V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 190W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-262 Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 75A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.4mOhm @ 53A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3270pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 170W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220AB Paket / Fall TO-220-3 |
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie * FET-Typ - Technologie - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TO-252, (D-Pak) Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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