IPB048N15N5LFATMA1
Nur als Referenz
| Teilenummer | IPB048N15N5LFATMA1 |
| PNEDA Teilenummer | IPB048N15N5LFATMA1 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.556 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IPB048N15N5LFATMA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IPB048N15N5LFATMA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IPB048N15N5LFATMA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | OptiMOS™-5 |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 120A |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.9V @ 255µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 84nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 380pF @ 75V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 313W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D²PAK (TO-263AB) |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 30A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 20µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.3nC @ 5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1043pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 46W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket PG-TO262-3 Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
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