IPB65R190CFDAATMA1
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| Teilenummer | IPB65R190CFDAATMA1 |
| PNEDA Teilenummer | IPB65R190CFDAATMA1 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH TO263-3 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.662 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IPB65R190CFDAATMA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IPB65R190CFDAATMA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IPB65R190CFDAATMA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 17.5A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 7.3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 700µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1850pF @ 100V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 151W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D²PAK (TO-263AB) |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.9mOhm @ 56A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 80µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 196nC @ 10V Vgs (Max) ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9417pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 136W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket PG-TO220-3-1 Paket / Fall TO-220-3 |
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