IPD30N03S2L07ATMA1
Nur als Referenz
Teilenummer | IPD30N03S2L07ATMA1 |
PNEDA Teilenummer | IPD30N03S2L07ATMA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 |
Hersteller | Infineon Technologies |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 5.076 |
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IPD30N03S2L07ATMA1 Ressourcen
Marke | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | IPD30N03S2L07ATMA1 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IPD30N03S2L07ATMA1 Technische Daten
Hersteller | Infineon Technologies |
Serie | OptiMOS™ |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 30A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.7mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 85µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1900pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 136W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | PG-TO252-3 |
Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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