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IPD50R2K0CEBTMA1

IPD50R2K0CEBTMA1

Nur als Referenz

Teilenummer IPD50R2K0CEBTMA1
PNEDA Teilenummer IPD50R2K0CEBTMA1
Beschreibung CONSUMER
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 5.670
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 8 - Jun 13 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IPD50R2K0CEBTMA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIPD50R2K0CEBTMA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
IPD50R2K0CEBTMA1, IPD50R2K0CEBTMA1 Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 1.635,97 KB)
PDFIPD50R2K0CEBTMA1 Datenblatt Cover
IPD50R2K0CEBTMA1 Datenblatt Seite 2 IPD50R2K0CEBTMA1 Datenblatt Seite 3 IPD50R2K0CEBTMA1 Datenblatt Seite 4 IPD50R2K0CEBTMA1 Datenblatt Seite 5 IPD50R2K0CEBTMA1 Datenblatt Seite 6 IPD50R2K0CEBTMA1 Datenblatt Seite 7 IPD50R2K0CEBTMA1 Datenblatt Seite 8 IPD50R2K0CEBTMA1 Datenblatt Seite 9 IPD50R2K0CEBTMA1 Datenblatt Seite 10 IPD50R2K0CEBTMA1 Datenblatt Seite 11

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IPD50R2K0CEBTMA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie*
FET-Typ-
Technologie-
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (Max)-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)-
Betriebstemperatur-
Montagetyp-
Lieferantengerätepaket-
Paket / Fall-

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™, Polar3™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

300mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 1.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1800pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

380W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-263 (IXFA)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

RFD3055

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

150mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 20V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

300pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

53W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

I-PAK

Paket / Fall

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

IRF7413PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

13A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11mOhm @ 7.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

79nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1800pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SO

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

RW1C020UNT2R

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

105mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

180pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

400mW (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

6-WEMT

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

STD96N3LLH6

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

DeepGATE™, STripFET™ VI

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

80A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.2mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2200pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

70W (Tc)

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DPAK

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Kürzlich verkauft

SMBJ7.0CA-E3/52

SMBJ7.0CA-E3/52

Vishay Semiconductor Diodes Division

TVS DIODE 7V 12V DO214AA

TAJC337M006RNJ

TAJC337M006RNJ

CAP TANT 330UF 20% 6.3V 2312

1-1825027-7

1-1825027-7

TE Connectivity ALCOSWITCH Switches

SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 24V

TPSD227K006R0100

TPSD227K006R0100

CAP TANT 220UF 10% 6.3V 2917

HV9910BLG-G

HV9910BLG-G

Microchip Technology

IC LED DRIVER CTRLR DIM 8SOIC

L7924CV

L7924CV

STMicroelectronics

IC REG LINEAR -24V 1.5A TO220AB

MAX13035EETE+T

MAX13035EETE+T

Maxim Integrated

IC TRNSLTR BIDIRECTIONAL 16TQFN

F951E106MAAAQ2

F951E106MAAAQ2

CAP TANT 10UF 20% 25V 1206

BZT52C3V9-7-F

BZT52C3V9-7-F

Diodes Incorporated

DIODE ZENER 3.9V 500MW SOD123

XC6204B252MR-G

XC6204B252MR-G

Torex Semiconductor Ltd

IC REG LINEAR 2.5V 150MA SOT25

74HC164D

74HC164D

Toshiba Semiconductor and Storage

IC SHIFT REGISTER 8BIT 14SOP

AT89C51-24AI

AT89C51-24AI

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 4KB FLASH 44TQFP