IPD90P03P4L04ATMA1
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| Teilenummer | IPD90P03P4L04ATMA1 |
| PNEDA Teilenummer | IPD90P03P4L04ATMA1 |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 30V 90A TO252-3 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 86.736 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IPD90P03P4L04ATMA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IPD90P03P4L04ATMA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IPD90P03P4L04ATMA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 90A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.1mOhm @ 90A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 253µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 160nC @ 10V |
| Vgs (Max) | +5V, -16V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 11300pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 137W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO252-3 |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 150A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 144nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8625pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 136W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PowerPAK® 8 x 8 Paket / Fall 8-PowerTDFN |
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