IPL65R1K0C6SATMA1
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| Teilenummer | IPL65R1K0C6SATMA1 |
| PNEDA Teilenummer | IPL65R1K0C6SATMA1 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 8TSON |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.798 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IPL65R1K0C6SATMA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IPL65R1K0C6SATMA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IPL65R1K0C6SATMA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | CoolMOS™ C6 |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 4.2A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 1.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 150µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 328pF @ 100V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 34.7W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | Thin-PAK (5x6) |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 59mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 430pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.6W (Ta) Betriebstemperatur 150°C Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 6-CPH Paket / Fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
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