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IPLU300N04S4R7XTMA2

IPLU300N04S4R7XTMA2

Nur als Referenz

Teilenummer IPLU300N04S4R7XTMA2
PNEDA Teilenummer IPLU300N04S4R7XTMA2
Beschreibung MOSFET N-CH 8HSOF
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 5.940
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IPLU300N04S4R7XTMA2 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIPLU300N04S4R7XTMA2
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

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IPLU300N04S4R7XTMA2 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieOptiMOS™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.300A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs0.76mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 230µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs287nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds22945pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)429W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketPG-HSOF-8-1
Paket / Fall8-PowerSFN

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APTM10UM01FAG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

860A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.6mOhm @ 275A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 12mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2100nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

60000pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2500W (Tc)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Lieferantengerätepaket

SP6

Paket / Fall

SP6

SI3475DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

950mA (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.61Ohm @ 900mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

500pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2W (Ta), 3.2W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

6-TSOP

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

RTL020P02TR

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

135mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.9nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

430pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1W (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TUMT6

Paket / Fall

6-SMD, Flat Leads

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

75A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.6mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26.7nC @ 5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2200pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

115W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DPAK

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

UPA2820T1S-E2-AT

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

22A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.3mOhm @ 22A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2330pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.5W (Ta), 16W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

-

Paket / Fall

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