IPP051N15N5AKSA1
Nur als Referenz
| Teilenummer | IPP051N15N5AKSA1 |
| PNEDA Teilenummer | IPP051N15N5AKSA1 |
| Beschreibung | MV POWER MOS |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.676 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 20 - Mai 25 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IPP051N15N5AKSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IPP051N15N5AKSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IPP051N15N5AKSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | OptiMOS™ 5 |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 120A |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.1mOhm @ 60A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.6V @ 264µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7800pF @ 75V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 500mW (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO220-3 |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
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