IPS13N03LA G
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| Teilenummer | IPS13N03LA G |
| PNEDA Teilenummer | IPS13N03LA-G |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 25V 30A IPAK |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.906 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IPS13N03LA G Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IPS13N03LA G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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IPS13N03LA G Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | OptiMOS™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 30A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.8mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 20µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3nC @ 5V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1043pF @ 15V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 46W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO251-3 |
| Paket / Fall | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
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Hersteller Infineon Technologies Serie SIPMOS® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 90mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 45Ohm @ 90mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 94µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.8nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 131pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PG-SOT89 Paket / Fall TO-243AA |
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