IPSA70R2K0P7SAKMA1
Nur als Referenz
| Teilenummer | IPSA70R2K0P7SAKMA1 |
| PNEDA Teilenummer | IPSA70R2K0P7SAKMA1 |
| Beschreibung | MOSFET TO251-3 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 9.936 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IPSA70R2K0P7SAKMA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IPSA70R2K0P7SAKMA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IPSA70R2K0P7SAKMA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | CoolMOS™ P7 |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 3A |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 500mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 30µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.8nC @ 400V |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 130pF @ 400V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 17.6W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO251-3-347 |
| Paket / Fall | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
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Hersteller Nexperia USA Inc. Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.6mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 88nC @ 10V Vgs (Max) ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5200pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 158W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D2PAK Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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