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IR3519MTRPBF

IR3519MTRPBF

Nur als Referenz

Teilenummer IR3519MTRPBF
PNEDA Teilenummer IR3519MTRPBF
Beschreibung IC MOSFET GATE DRIVER 8-MLPD
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 2.556
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 22 - Mai 27 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IR3519MTRPBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIR3519MTRPBF
KategorieHalbleiterEnergieverwaltungs-ICsPMIC - Gate-Treiber
Datenblatt
IR3519MTRPBF, IR3519MTRPBF Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 354,59 KB)
PDFIR3519STRPBF Datenblatt Cover
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IR3519MTRPBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
Angetriebene KonfigurationHalf-Bridge
KanaltypSynchronous
Anzahl der Treiber2
Gate-TypN-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung6.5V ~ 7.5V
Logikspannung - VIL, VIH-
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)2A, 2A
EingabetypNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)35V
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)5ns, 5ns
Betriebstemperatur0°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-VDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket8-MLP (3x3)

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Hersteller

Maxim Integrated

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

8V ~ 12.6V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

2A, 2A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

175V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

65ns, 65ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

AUIRS20162STR

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q100

Angetriebene Konfiguration

High-Side

Kanaltyp

Single

Anzahl der Treiber

1

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.4V ~ 20V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

250mA, 250mA

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

150V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

200ns, 200ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 155°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

MLX83100LGO-DBA-000-RE

Melexis Technologies NV

Hersteller

Melexis Technologies NV

Serie

Automotive, AEC-Q100

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Independent

Anzahl der Treiber

4

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 28V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.4A, 1.6A

Eingabetyp

-

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

7ns, 7ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

28-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

28-TSSOP

TPS2835D

Texas Instruments

Hersteller

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 15V

Logikspannung - VIL, VIH

1V, 2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

2.7A, 2.4A

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

28V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

50ns, 40ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

14-SOIC

IR2125

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

High-Side

Kanaltyp

Single

Anzahl der Treiber

1

Gate-Typ

IGBT, N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

0V ~ 18V

Logikspannung - VIL, VIH

0.8V, 2.2V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1.6A, 3.3A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

500V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

43ns, 26ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

8-PDIP

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